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IXTK8N150L
IXTX8N150L
Fig. 8. Forward Voltage Drop of
4.5
4.0
3.5
3.0
Fig. 7. Transconductance
T J = - 40oC
25oC
28
24
20
Intrinsic Diode
2.5
2.0
125oC
16
12
1.5
1.0
0.5
0.0
8
4
0
T J = 125oC
T J = 25oC
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
20
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
100,000
V SD - Volts
Fig. 10. Capacitance
18
V DS = 750V
f = 1 MHz
16
I D = 4A
I G = 10mA
10,000
Ciss
14
12
10
1,000
Coss
8
6
100
4
2
0
10
Crss
0
40
80
120
160
200
240
280
320
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1.000
0.100
0.010
0.001
Q G - NanoCoulombs
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
V DS - Volts
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: T_8N15L(8N)01-30-09
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